參數(shù)資料
型號： IRF6601
廠商： International Rectifier
英文描述： DirectFET⑩ Power MOSFET(Vdss=20V)
中文描述： ⑩的DirectFET功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 20V的）
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 130K
代理商： IRF6601
IRF6601
2
www.irf.com
Symbol
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
oss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
Parameter
Min. Typ. Max. Units
50
–––
–––
36 54
–––
11
–––
12
–––
48
–––
16
–––
140
–––
33
–––
110
–––
3440
–––
–––
2430
–––
–––
380
Conditions
V
DS
= 10 V, I
D
= 21 A
I
D
= 21A
V
DS
= 16 V
V
GS
= 4.5 V,
V
DS
= 0 V, V
GS
= 16V
V
DD
= 15 V
I
D
= 21 A
R
G
= 5.1
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 0V
V
DS
= 10V
= 1.0MHz
Forward Transconductance
Total Gate Charge Cont FET
Gate-to-Source Charge
Gate to Drain ("Miller")Charge
Output Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
S
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nC
ns
pF
–––
Symbol
I
S
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25
°
C, I
S
= 21A, V
GS
= 0V
T
J
= 125
°
C, I
S
= 21A, V
GS
= 0V
T
J
= 25
°
C, I
F
= 21A, V
R
=15 V
di/dt = 100A/μs
T
J
= 125
°
C, I
F
= 21A, V
R
=15 V
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.83
0.68
60
94
62
88
1.2
–––
90
140
93
130
V
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
ns
nC
ns
nC
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
S
D
G
Diode Characteristics
26
200
V
SD
Diode Forward Voltage
Parameter
Min. Typ. Max. Units
20
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 100μA
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.019
–––
V/
°
C Reference to 25
°
C, I
D
= 1mA
–––
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
1.0
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
3.8
5.0
3.0
20
100
100
-100
V
GS
= 10V, I
D
= 26A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 21A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V, T
J
= 70
°
C
V
GS
= 20 V
V
GS
= -20 V
V
μA
nA
Static @ T
J
= 25
°
C (unless otherwise specified)
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
m
Symbol
E
AS
I
AR
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
65
21
Units
mJ
A
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Avalanche Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF6602 HEXFET Power MOSFET
IRF6602TR1 HEXFET Power MOSFET
IRF6603 HEXFETPower MOSFET
IRF6613 VCXO TCXO VCTCXO
IRF6616 DirectFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRF6602TR1 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
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IRF6603TR1 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 11nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6604 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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