參數(shù)資料
型號： IRF614
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2.0A, 250V, 2.0 Ohm,N-Channel Power MOSFET(2.0A, 250V, 2.0 Ω,N溝道增強型功率MOSFET)
中文描述： 2 A, 250 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 45K
代理商： IRF614
5
NOTE: Heating effect of 2.0
μ
s pulse is minimal.
FIGURE 8. DRAIN TO SOURCE ON RESISTANCE vs GATE
VOLTAGE AND DRAIN CURRENT
FIGURE 9. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE ON
RESISTANCE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 10. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 11. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FIGURE 12. TRANSCONDUCTANCE vs DRAIN CURRENT
FIGURE 13. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
2
4
6
8
r
D
,
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
0
V
GS
= 10V
O
)
V
GS
= 20V
10
8
6
4
2
0
10
N
3.0
1.8
1.2
0.6
0.2
-40
0
40
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
120
2.4
80
V
GS
= 10V, I
D
= 2.5A
O
160
1.25
1.05
0.95
0.85
0.75
-40
0
40
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
B
120
160
1.15
80
I
D
= 250mA
500
100
0
10
C
300
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
400
200
100
1
C
RSS
= C
GD
C
OSS
= C
DS
+ C
GD
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
ISS
C
OSS
C
RSS
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
g
f
,
0
0
0.8
1.6
2.4
3.2
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
4.0
V
DS
=
2 x V
GS
MAX, PULSE TEST = 80
μ
s
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
0
0.8
1.2
1.6
0.4
V
SD
, SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
0.1
1
10
I
D
,
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
2.0
10
-2
IRF614
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF6156 FlipFET Power MOSFET
IRF620 5.0A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel PowerMOSFET(5.0A, 200V, 0.800 Ohm,,N溝道增強型功率MOS場效應(yīng)管)
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IRF630PBF HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40ヘ , ID = 9.0A )
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