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參數資料
| 型號： | IRF630PBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40ヘ , ID = 9.0A ) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 200V的電壓，的RDS（on）\u003d 0.40ヘ，身份證\u003d 9.0,9.0） |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 2112K |
| 代理商： | IRF630PBF |
www.irf.com
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IRF630PbF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF630SPBF | HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40ヘ , ID = 9.0A ) |
| IRF646 | 14A, 275V, 0.280 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
| IRF6604 | Power MOSFET |
| IRF6607 | Power MOSFET |
| IRF6607TR1 | Power MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF630R | 制造商:All American Misc. 功能描述: |
| IRF630S | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF630SPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF630ST4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 200 Volt 9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF630STRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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