參數(shù)資料
型號(hào)： IRF614
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2.0A, 250V, 2.0 Ohm,N-Channel Power MOSFET(2.0A, 250V, 2.0 Ω,N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET)
中文描述： 2 A, 250 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大小： 45K
代理商： IRF614
4
FIGURE 3. MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
FIGURE 4. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
FIGURE 5. OUTPUT CHARACTERISTICS
FIGURE 6. SATURATION CHARACTERISTICS
FIGURE 7. TRANSFER CHARACTERISTICS
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
10
Z
θ
J
,
T
o
C
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
-5
10
-4
1
10
-2
0.1
SINGLE PULSE
0.1
0.02
0.01
0.2
0.5
0.05
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
+ T
C
P
DM
t
1
t
2
10
1
10
10
2
10
3
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
1
0.1
10
-2
I
D
,
T
C
= 25
o
C
T
J
= MAX RATED
SINGLE PULSE
1
μ
s
100
μ
s
1ms
10ms
DC
OPERATION IN THIS
AREA IS LIMITED
BY r
DS(ON)
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
0
0
20
40
60
80
0.6
1.2
1.8
2.4
3.0
100
80
μ
s PULSE TEST
V
GS
= 5.5V
V
GS
= 10V
V
GS
= 6V
V
GS
= 5V
V
GS
= 4V
V
GS
= 6.5V
0
0.6
0
1
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
2
3
5
1.2
1.8
I
D
,
2.4
4
3.0
80
μ
s PULSE TEST
V
GS
= 10V
V
GS
= 4V
V
GS
= 5V
V
GS
= 6V
V
GS
= 6.5V
V
GS
= 5.5V
0
2
4
6
10
I
D
,
V
G
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
8
10
1
0.1
10
-2
80
μ
s PULSE TEST
V
DS
= 2 x V
GS
IRF614
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF6156 FlipFET Power MOSFET
IRF620 5.0A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel PowerMOSFET(5.0A, 200V, 0.800 Ohm,,N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRF6217 AC 6C 6#16S SKT PLUG
IRF630PBF HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40ヘ , ID = 9.0A )
IRF630SPBF HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40ヘ , ID = 9.0A )
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參數(shù)描述
IRF614A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 2.8A I(D) | TO-220AB
IRF614B 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET
IRF614B_FP001 功能描述:MOSFET 250V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF614BFP001 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRF614L 功能描述:MOSFET N-CH 250V 2.7A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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