參數(shù)資料
型號(hào)： IRF3709ZS
廠(chǎng)商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大小： 345K
代理商： IRF3709ZS
6
www.irf.com
Fig 13.
On-Resistance vs. Gate Voltage
Fig 12.
On-Resistance vs. Drain Current
Fig 16.
Maximum Avalanche Energy
vs. Drain Current
Fig 14a&b.
Basic Gate Charge Test Circuit
and Waveform
Fig 15a&b.
Unclamped Inductive Test circuit
and Waveforms
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Vds
Vgs
Id
Vgs(th)
Qgs1 Qgs2
Qgd
Qgodr
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
RD
)
ID = 21A
TJ = 25°C
TJ = 125°C
10.0
20.0
30.0
40.0
50.0
60.0
70.0
ID, Drain Current (A)
4.00
5.00
6.00
7.00
8.00
9.00
RD
)
TJ = 25°C
TJ = 125°C
Vgs = 10V
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
50
100
150
200
250
EA
ID
TOP 5.4A
8.0A
BOTTOM 17A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3709Z HEXFET Power MOSFET
IRF3709 Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=90A)
IRF3709L Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=90A)
IRF3709S Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=90A)
IRF3710L Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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