參數(shù)資料
型號： IRF3709ZS
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 345K
代理商： IRF3709ZS
www.irf.com
3
Fig 4.
Normalized On-Resistance
vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
3.0V
≤
60μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
VGS
10V
9.0V
7.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
TOP
BOTTOM
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
ID
VGS
10V
9.0V
7.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
TOP
BOTTOM
≤
60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
3.0V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
(
)
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 15V
≤
60μs PULSE WIDTH
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
TJ , Junction Temperature (°C)
0.5
1.0
1.5
2.0
RD
ID = 42A
VGS = 10V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3709Z HEXFET Power MOSFET
IRF3709 Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=90A)
IRF3709L Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=90A)
IRF3709S Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=90A)
IRF3710L Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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