參數(shù)資料
型號(hào)： IRF2204LPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 3.6mヘ , ID = 170A )
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 40V的，的RDS（on）\u003d 3.6米ヘ，身份證\u003d 170A章）
文件頁數(shù)： 6/12頁
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代理商： IRF2204LPBF
IRF2204S/LPbF
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
175
0
150
300
450
600
750
900
Starting Tj, Junction Temperature
( C)
E
A
ID
52A
91A
130A
TOP
BOTTOM
Fig 14.
Threshold Voltage Vs. Temperature
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175 200
TJ , Temperature ( °C )
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
VG
ID = 250μA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF2204SPBF HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 3.6mヘ , ID = 170A )
IRF2805LPbF HEXFET Power MOSFET
IRF2805SPBF HEXFET Power MOSFET
IRF2805L ER 4C 4#12 PIN RECP WALL
IRF2805S AUTOMOTIVE MOSFET
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參數(shù)描述
IRF2204PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 210A 3.6mOhm 130nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF2204S 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRF2204SPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 170A 3.6mOhm 130nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF2204STRL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 170A I(D) | TO-263AB
IRF2204STRR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 170A I(D) | TO-263AB
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