參數(shù)資料
型號： IRF2204LPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 3.6mヘ , ID = 170A )
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 40V的，的RDS（on）\u003d 3.6米ヘ，身份證\u003d 170A章）
文件頁數(shù)： 5/12頁
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代理商： IRF2204LPBF
IRF2204S/LPbF
www.irf.com
5
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
≤ 1
≤ 0.1 %
+
-
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
T , Case Temperature
(°
I
D
LIMITED BY PACKAGE
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D =
t / t
2. Peak T
= P
x Z
+ T
2
J
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
(
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
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PDF描述
IRF2204SPBF HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 3.6mヘ , ID = 170A )
IRF2805LPbF HEXFET Power MOSFET
IRF2805SPBF HEXFET Power MOSFET
IRF2805L ER 4C 4#12 PIN RECP WALL
IRF2805S AUTOMOTIVE MOSFET
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參數(shù)描述
IRF2204PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 210A 3.6mOhm 130nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF2204S 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRF2204SPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 170A 3.6mOhm 130nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF2204STRL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 170A I(D) | TO-263AB
IRF2204STRR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 170A I(D) | TO-263AB
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