參數(shù)資料
型號(hào): IRF1407SPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 75V , RDS(on) = 0.0078ヘ , ID = 100A )
中文描述: ㈢的HEXFET功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 75V的,的RDS(on)\u003d 0.0078ヘ,身份證\u003d 100號(hào)A)
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代理商: IRF1407SPBF
IRF1407S/LPbF
www.irf.com
5
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
≤ 1
≤ 0.1 %
+
-
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
25
50
75
100
125
150
175
0
20
40
60
80
100
120
T , Case Temperature
( °
I
D
LIMITED BY PACKAGE
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D =
t / t
2. Peak T
= P
x Z
+ T
2
J
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
(
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
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PDF描述
IRF1407PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
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IRF1607 Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.0075ohm, Id=142A)
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參數(shù)描述
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IRF1407STRLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRF1407STRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 100A 7.8mOhm 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF1407STRR 功能描述:MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF1407STRRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R