型號: | IRF1407SPBF |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 75V , RDS(on) = 0.0078ヘ , ID = 100A ) |
中文描述: | ㈢的HEXFET功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 75V的,的RDS(on)\u003d 0.0078ヘ,身份證\u003d 100號A) |
文件頁數(shù): | 4/12頁 |
文件大小: | 262K |
代理商: | IRF1407SPBF |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRF1407PBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
IRF1503PBF | AUTOMOTIVE MOSFET |
IRF1607 | Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.0075ohm, Id=142A) |
IRF2204 | AUTOMOTIVE MOSFET |
IRF2804S-7P | AUTOMOTIVE MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRF1407STRL | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 75V, 100A, 7.8 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak |
IRF1407STRLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
IRF1407STRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 100A 7.8mOhm 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRF1407STRR | 功能描述:MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
IRF1407STRRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |