參數(shù)資料
型號(hào): IRF1407PBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述: ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù): 4/10頁(yè)
文件大?。?/td> 171K
代理商: IRF1407PBF
IRF1407PbF
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
1000
10000
C
100000
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
40
80
120
160
200
0
3
6
9
12
15
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
I
=
D
78A
V
= 15V
DS
V
= 37V
DS
V
= 60V
DS
0.0
1.0
2.0
3.0
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
0.10
1.00
10.00
100.00
1000.00
IS
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
1
10
100
1000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
1
10
100
1000
10000
ID
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
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PDF描述
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參數(shù)描述
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