參數(shù)資料
型號： IRF1407LPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 75V , RDS(on) = 0.0078ヘ , ID = 100A )
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 75V的，的RDS（on）\u003d 0.0078ヘ，身份證\u003d 100號A）
文件頁數(shù)： 7/12頁
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代理商： IRF1407LPBF
IRF1407S/LPbF
www.irf.com
7
Fig 15.
Typical Avalanche Current Vs.Pulsewidth
Fig 16.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Temperature
Notes on Repetitive Avalanche Curves , Figures 15, 16:
(For further info, see AN-1005 at www.irf.com)
1. Avalanche failures assumption:
Purely a thermal phenomenon and failure occurs at a
temperature far in excess of T
jmax
. This is validated for
every part type.
2. Safe operation in Avalanche is allowed as long asT
jmax
is
not exceeded.
3. Equation below based on circuit and waveforms shown in
Figures 12a, 12b.
4. P
D (ave)
= Average power dissipation per single
avalanche pulse.
5. BV = Rated breakdown voltage (1.3 factor accounts for
voltage increase during avalanche).
6. I
av
= Allowable avalanche current.
7.
T
=
Allowable rise in junction temperature, not to exceed
T
jmax
(assumed as 25°C in Figure 15, 16).
t
av =
Average time in avalanche.
D = Duty cycle in avalanche = t
av
·f
Z
thJC
(D, t
av
) = Transient thermal resistance, see figure 11)
P
D (ave)
= 1/2 ( 1.3·BV·I
av
) =
I
av
=
2 T/ [1.3·BV·Z
th
]
E
AS (AR)
= P
D (ave)
·t
av
T/ Z
thJC
1.0E-07
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
tav (sec)
1
10
100
1000
A
0.05
Duty Cycle = Single Pulse
0.10
Allowed avalanche Current vs
avalanche
pulsewidth,
assuming
Tj = 25°C due to
avalanche losses
tav
0.01
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
100
200
300
400
EA
TOP Single Pulse
BOTTOM 10% Duty Cycle
ID = 78A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF1407SPBF HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 75V , RDS(on) = 0.0078ヘ , ID = 100A )
IRF1407PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF1503PBF AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1607 Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.0075ohm, Id=142A)
IRF2204 AUTOMOTIVE MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF1407PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 130A 7.8mOhm 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF1407S 功能描述:MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF1407SHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRF1407SPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 75V, 100A, 7.8 MOHM, 160 NC QG, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 80V 100A 3PIN D2PAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 75V 100A D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N-Channel 75V 100A D2PAK
IRF1407STRL 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 75V, 100A, 7.8 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak
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