型號: | IRF1302L |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=4.0mohm, Id=174A) |
中文描述: | 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 20V的,的Rds(on)\u003d 4.0mohm,身份證\u003d 174A章) |
文件頁數(shù): | 4/11頁 |
文件大?。?/td> | 229K |
代理商: | IRF1302L |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
IRF1302S | Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=4.0mohm, Id=174A) |
IRF1302STRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 174A I(D) | TO-263AB |
IRF1302STRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 174A I(D) | TO-263AB |
IRF1310NL | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A) |
IRF1310NS | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
IRF1302PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 20V 180A TO-220 |
IRF1302S | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 174A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
IRF1302SHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 174A 3PIN D2PAK - Bulk |
IRF1302STRL | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 174A I(D) | TO-263AB |
IRF1302STRR | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 174A I(D) | TO-263AB |