參數(shù)資料
型號： IPB091N06NG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢ Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢功率晶體管
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 445K
代理商： IPB091N06NG
IPB091N06N G IPP091N06N G
Parameter
Symbol Conditions
Unit
min.
typ.
max.
Thermal characteristics
Thermal resistance, junction - case
R
thJC
-
-
0.8
K/W
SMD version, device on PCB
R
thJA
minimal footprint
-
-
62
6 cm
2
cooling area
3)
-
-
40
Electrical characteristics,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Static characteristics
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
V
GS
=0 V,
I
D
=1 mA
60
-
-
V
Gate threshold voltage
V
GS(th)
V
DS
=
V
GS
,
I
D
=130 μA
2.1
3
4
Zero gate voltage drain current
I
DSS
V
DS
=60 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
-
0.01
1
μA
V
DS
=60 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
-
1
100
Gate-source leakage current
I
GSS
V
GS
=20 V,
V
DS
=60 V
-
1
100
nA
Drain-source on-state resistance
R
DS(on)
V
GS
=10 V,
I
D
=80 A,
-
7.6
9.1
m
V
GS
=10 V,
I
D
=80 A,
SMD version
-
7.3
8.8
Gate resistance
R
G
-
2.3
Transconductance
g
fs
|
V
DS
|>2|
I
D
|
R
DS(on)max
,
I
D
=80 A
41.5
83
-
S
3)
Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm
2
(one layer, 70 μm thick) copper area for
drain connection. PCB is vertical in still air.
Values
Rev. 1.0
page 2
2006-06-20
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB10N03LB OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB110N06LG OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB11N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB120N06NG OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB13N03LB OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPB091N06NGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB093N04L G 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 40V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB093N04LG 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
IPB093N04LGATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
IPB093N04LGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
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