參數(shù)資料
型號： IPB04N03LAG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁數(shù)： 8/9頁
文件大小： 358K
代理商： IPB04N03LAG
IPB04N03LA G
PG-TO263-3-2/TO263-3-5/TO263-3-22: Outlines
Footprint
Packaging
Rev. 1.7
page 8
2006-05-10
相關PDF資料
PDF描述
IPB04N03LA Circular Connector; No. of Contacts:10; Series:; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:12; Circular Contact Gender:Socket; Circular Shell Style:Box Mount Receptacle; Insert Arrangement:12-10
IPB04N03LB OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB050N06L OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB050N06LG OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB050N06NG OptiMOS㈢ Power-Transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IPB04N03LAGATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
IPB04N03LAGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB04N03LANT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB04N03LAT 功能描述:MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IPB04N03LB 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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