參數(shù)資料
型號： IPB04N03LAG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 358K
代理商： IPB04N03LAG
IPB04N03LA G
Parameter
Symbol Conditions
Unit
min.
typ.
max.
Thermal characteristics
Thermal resistance, junction - case
R
thJC
-
-
1.4
K/W
SMD version, device on PCB
R
thJA
minimal footprint
-
-
62
6 cm
2
cooling area
5)
-
-
40
Electrical characteristics,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Static characteristics
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
V
GS
=0 V,
I
D
=1 mA
25
-
-
V
Gate threshold voltage
V
GS(th)
V
DS
=
V
GS
,
I
D
=60 μA
1.2
1.6
2
Zero gate voltage drain current
I
DSS
V
DS
=25 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
-
0.1
1
μA
V
DS
=25 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
-
10
100
Gate-source leakage current
I
GSS
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
-
10
100
nA
Drain-source on-state resistance
R
DS(on)
V
GS
=4.5 V,
I
D
=55 A,
SMD version
-
5.1
6.4
m
V
GS
=10 V,
I
D
=55 A,
SMD version
-
3.2
3.9
Gate resistance
R
G
-
1.1
-
Transconductance
g
fs
|
V
DS
|>2|
I
D
|
R
DS(on)max
,
I
D
=55 A
43
85
-
2)
Current is limited by bondwire; with an
R
thJC
=1.4 K/W the chip is able to carry 125
3)
See figure 3
4)
T
j,max
=150 °C and duty cycle
D
<0.25 for
V
<-5 V
5)
Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm
epoxy PCB FR4 with 6 cm
2
(one layer, 70
Values
Rev. 1.7
page 2
2006-05-10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB04N03LA Circular Connector; No. of Contacts:10; Series:; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:12; Circular Contact Gender:Socket; Circular Shell Style:Box Mount Receptacle; Insert Arrangement:12-10
IPB04N03LB OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB050N06L OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB050N06LG OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB050N06NG OptiMOS㈢ Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPB04N03LAGATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
IPB04N03LAGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB04N03LANT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB04N03LAT 功能描述:MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IPB04N03LB 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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