參數(shù)資料
型號(hào)： IPB050N06L
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢ Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/10頁(yè)
文件大小： 451K
代理商： IPB050N06L
IPP050N06N G IPB050N06N G
Opti
MOS
Power-Transistor
Features
For fast switching converters and sync. rectification
N-channel enhancement - normal level
175 °C operating temperature
Avalanche rated
Pb-free lead plating, RoHS compliant
Maximum ratings,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Unit
Continuous drain current
I
D
T
C
=25 °C
1)
100
A
T
C
=100 °C
100
Pulsed drain current
I
D,pulse
T
C
=25 °C
2)
400
Avalanche energy, single pulse
E
AS
I
D
=100 A,
R
GS
=25
810
mJ
Reverse diode d
v
/d
t
d
v
/d
t
I
D
=100 A,
V
DS
=48 V,
d
i
/d
t
=200 A/μs,
T
j,max
=175 °C
6
kV/μs
Gate source voltage
V
GS
±20
V
Power dissipation
P
tot
T
C
=25 °C
300
W
Operating and storage temperature
T
j
,
T
stg
-55 ... 175
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
55/175/56
Value
2)
See figure 3
1)
Current is limited by bondwire; with an R
thJC
=0.5 the chip is able to carry 160A
V
DS
60
V
R
DS(on),max SMDversion
4.7
m
I
D
100
A
Product Summary
Type
IPP050N06L
IPB050N06L
Package
P-TO220-3-1
P-TO263-3-2
Marking
050N06L
050N06L
Rev. 1.11
page 1
2006-07-06
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB050N06LG OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB050N06NG OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB051NE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI05CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB05CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPB050N06LG 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB050N06N G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB050N06NG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
IPB050N06NGATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
IPB051NE8N G 功能描述:MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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