參數(shù)資料
型號： IPB050N06L
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢ Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢功率晶體管
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大小： 451K
代理商： IPB050N06L
IPP050N06N G IPB050N06N G
1 Power dissipation
2 Drain current
P
tot
=f(
T
C
);
V
GS
≥
6 V
I
D
=f(
T
C
);
V
GS
≥
10 V
3 Safe operating area
4 Max. transient thermal impedance
I
D
=f(
V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
Z
thJC
=f(
t
p
)
parameter:
t
p
parameter:
D
=
t
p
/
T
1 μs
10 μs
100 μs
1 ms
10 ms
DC
10
2
10
1
10
0
10
-1
10
2
10
1
10
0
10
-1
V
DS
[V]
I
D
limited by on-state
resistance
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
t
p
[s]
10
-4
10
-5
10
-6
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
Z
t
0
50
100
150
200
250
300
350
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
P
t
0
20
40
60
80
100
120
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
I
D
Rev. 1.11
page 4
2006-07-06
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB050N06LG OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB050N06NG OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB051NE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI05CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB05CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPB050N06LG 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB050N06N G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB050N06NG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
IPB050N06NGATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
IPB051NE8N G 功能描述:MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*