參數(shù)資料
型號： IPB04N03LAG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 358K
代理商： IPB04N03LAG
IPB04N03LA G
Parameter
Symbol Conditions
Unit
min.
typ.
max.
Dynamic characteristics
Input capacitance
C
iss
-
2915
3877
pF
Output capacitance
C
oss
-
1236
1643
Reverse transfer capacitance
C
rss
-
175
263
Turn-on delay time
t
d(on)
-
13
19
ns
Rise time
t
r
-
4.5
7.0
Turn-off delay time
t
d(off)
-
38
57
Fall time
t
f
-
5.4
8.1
Gate Charge Characteristics
6)
Gate to source charge
Q
gs
-
10
13
nC
Gate charge at threshold
Q
g(th)
-
4.6
6.2
Gate to drain charge
Q
gd
-
7.2
11
Switching charge
Q
sw
-
12
17
Gate charge total
Q
g
-
24
32
Gate plateau voltage
V
plateau
-
3.3
-
V
Gate charge total, sync. FET
Q
g(sync)
V
DS
=0.1 V,
V
GS
=0 to 5 V
-
20
27
nC
Output charge
Q
oss
V
DD
=15 V,
V
GS
=0 V
-
27
35
Reverse Diode
Diode continous forward current
I
S
-
-
80
A
Diode pulse current
I
S,pulse
-
-
385
Diode forward voltage
V
SD
V
GS
=0 V,
I
F
=80 A,
T
j
=25 °C
-
0.96
1.2
V
Reverse recovery charge
Q
rr
V
R
=15 V,
I
F
=
I
S
,
d
i
F
/d
t
=400 A/μs
-
-
15
nC
6)
See figure 16 for gate charge parameter definition
T
C
=25 °C
Values
V
GS
=0 V,
V
DS
=15 V,
f
=1 MHz
V
DD
=15 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=20 A,
R
G
=2.7
V
DD
=15 V,
I
D
=40 A,
V
GS
=0 to 5 V
Rev. 1.7
page 3
2006-05-10
相關PDF資料
PDF描述
IPB04N03LA Circular Connector; No. of Contacts:10; Series:; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:12; Circular Contact Gender:Socket; Circular Shell Style:Box Mount Receptacle; Insert Arrangement:12-10
IPB04N03LB OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB050N06L OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB050N06LG OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB050N06NG OptiMOS㈢ Power-Transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IPB04N03LAGATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
IPB04N03LAGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB04N03LANT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB04N03LAT 功能描述:MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IPB04N03LB 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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