參數(shù)資料
型號： IDT71V3576S133BQI
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
中文描述： 128K X 36 CACHE SRAM, 4.2 ns, PBGA165
封裝： FBGA-165
文件頁數(shù)： 5/22頁
文件大?。?/td> 283K
代理商： IDT71V3576S133BQI
6.42
IDT71V3576, IDT71V3578, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
3.3V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
Commercial and Industrial Temperature Ranges
13
NOTES:
1.
O1
(Ax)
represents
the
first
output
from
the
external
address
Ax.
O1
(Ay)
represents
the
first
output
from
the
external
addr
ess
Ay;
O2
(Ay)
represents
the
next
output
data
in
the
burst
sequence
of
the
base
address
Ay,
etc.
where
A0
and
A1
are
advancing
for
the
four
word
burst
in
the
sequence
defined
by
the
state
of
the
LBO
input.
2
.
ZZ
input
is
LOW
and
LBO
is
Don't
Care
for
this
cycle.
3.
C
S
0timing
transitions
are
identical
but
inverted
to
the
CE
and
CS
1
signals.
For
example,
when
CE
and
CS
1are
LOW
on
this
waveform,
CS
0is
HIGH.
Timing Waveform of Pipelined Read Cycle(1,2)
tC
H
Z
tS
A
tS
C
tH
S
G
W
,B
W
E,
BW
x
tS
W
tC
L
tS
A
V
tH
W
tH
A
V
C
LK
A
D
S
C
(1
)
A
D
R
E
S
tC
Y
C
tC
H
tH
A
tH
C
tO
E
tO
H
Z
O
E
tC
D
tO
LZ
O
1(
A
x)
D
A
TA
O
U
T
tC
D
C
O
1(
A
y)
O
3(
A
y)
O
2(A
y)
O
2(
A
y)
tC
LZ
A
D
V
C
E
,C
S
1
(N
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B
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A
x
A
y
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S
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A
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5
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D
S
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A
D
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s
bu
rs
t
,
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V3576S133PFI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
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IDT71V3576S150BGI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
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IDT71V67903S80B 512K X 18 CACHE SRAM, 8 ns, PBGA119
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參數(shù)描述
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IDT71V3576S133PF8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
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IDT71V3576S133PFG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤
IDT71V3576S133PFGI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
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