參數(shù)資料
型號： IDB30E120
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Fast Switching EmCon Diode
中文描述： 快速開關(guān)快恢復二極管
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 211K
代理商： IDB30E120
2001-12-12
Page 5
IDP30E120
IDB30E120
Preliminary data
5 Typ. reverse recovery time
t
rr
=
f
(
d
i
F
/d
t
)
parameter:
V
R
= 800V,
T
j
= 125°C
200
300
400
500
600
700
800
A/μs
1000
d
i
F
/d
t
200
300
400
500
600
700
800
900
ns
1100
t
r
60A
30A
15A
6 Typ. reverse recovery charge
Q
rr
=
f
(
d
i
F
/d
t
)
parameter:
V
R
= 800V,
T
j
= 125 °C
300
400
500
600
700
800
A/μs
1000
d
i
F
/d
t
25200
3000
3500
4000
4500
5000
5500
nC
6500
Q
r
15A
30A
60A
7 Typ. reverse recovery current
I
rr
=
f
(
d
i
F
/d
t
)
parameter:
V
R
= 800V,
T
j
= 125°C
200
300
400
500
600
700
800
A/μs
1000
d
i
F
/d
t
5
10
15
20
25
A
35
I
r
60A
30A
15A
8 Typ. reverse recovery softness factor
S = f(800)
parameter:
V
R
= 800V,
T
j
= 125°C
200
300
400
500
600
700
800
A/μs
1000
d
i
F
/d
t
4
6
8
10
12
14
18
S
60A
30A
15A
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PDF描述
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IDC05S60C 2nd generation thinQ! SiC Schottky Diode
IDC06S60C 2nd generation thinQ! SiC Schottky Diode
IDC08S60C 2nd generation thinQ! SiC Schottky Diode
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參數(shù)描述
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IDB30E60 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) FAST SWITCH EMCON DIODE 600V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
IDB30E60_07 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast Switching EmCon Diode
IDB30E60ATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Diode Switching 600V 52.3A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:DIODE SWTCH 600V 52.3A TO263-3
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