參數(shù)資料
型號： IDC04S60C
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 2nd generation thinQ! SiC Schottky Diode
中文描述： 第二代thinQ！碳化硅肖特基二極管
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 67K
代理商： IDC04S60C
IDC04S60C
2
nd
generation thinQ!
TM
SiC Schottky Diode
Applications:
SMPS, PFC, snubber
Revolutionary semiconductor material -
Silicon Carbide
Switching behavior benchmark
No reverse recovery
No temperature influence on the switching
behavior
No forward recovery
High surge current capability
Chip Type
V
BR
I
F
Die Size
1.146 x 0.968 mm
2
MECHANICAL PARAMETER:
Edited by INFINEON Technologies, AIM PMD D CID CLS, Edition 1, 05.04.2006
FEATURES:
A
C
Package
IDC04S60C
600V
4A
sawn on foil
Raster size
1.146x 0.968
Anode pad size
0.909 x 0.731
mm
Area total / active
1.11 / 0.74
mm
2
Thickness
355
μm
Wafer size
75
mm
Flat position
0
deg
Max. possible chips per wafer
3461 pcs
Passivation frontside
Photoimide
Anode metalization
3200 nm Al
Cathode metalization
1400 nm Ni Ag –system
suitable for epoxy and soft solder die bonding
Die bond
Electrically conductive glue or solder
Wire bond
Al,
≤
350μm
Reject Ink Dot Size
≥
0.3 mm
Recommended Storage Environment
store in original container, in dry nitrogen,
< 6 month at an ambient temperature of 23°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDC05S60C 2nd generation thinQ! SiC Schottky Diode
IDC06S60C 2nd generation thinQ! SiC Schottky Diode
IDC08S60C 2nd generation thinQ! SiC Schottky Diode
IDD04E120 Fast Switching EmCon Diode
IDD04S60C 2nd Generation thinQ! SiC Schottky Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDC04S60CE 功能描述:肖特基二極管與整流器 SiC Schottky Diode 600V 4A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
IDC04S60CEX1SA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SIC DIODEN - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
IDC05S120E 功能描述:肖特基二極管與整流器 1200V SiC Schottky Diode 5A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
IDC05S120EX1SA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SIC DIODEN - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
IDC05S60C 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2nd generation thinQ! SiC Schottky Diode
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