參數(shù)資料
型號： IDB30E120
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Fast Switching EmCon Diode
中文描述： 快速開關(guān)快恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 211K
代理商： IDB30E120
2001-12-12
Page 2
IDP30E120
IDB30E120
Preliminary data
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
Characteristics
Thermal resistance, junction - case
R
thJC
R
thJA
R
thJA
-
-
0.9
K/W
Thermal resistance, junction - ambient, leaded
-
-
62
SMD version, device on PCB:
@ min. footprint
@ 6 cm
2
cooling area
1)
-
-
-
35
62
-
Electrical Characteristics
, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
Static Characteristics
Reverse leakage current
V
R
=1200V,
T
j
=25°C
V
R
=1200V,
T
j
=150°C
Forward voltage drop
I
R
-
-
-
-
100
2500
μA
I
F
=30A,
T
j
=25°C
I
F
=30A,
T
j
=150°C
V
F
-
-
1.65
1.7
2.15
-
V
1Device on 40mm*40mm*1.5mm epoxy PCB FR4 with 6cm2 (one layer, 70 μm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical without blown air.
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PDF描述
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IDC05S60C 2nd generation thinQ! SiC Schottky Diode
IDC06S60C 2nd generation thinQ! SiC Schottky Diode
IDC08S60C 2nd generation thinQ! SiC Schottky Diode
IDD04E120 Fast Switching EmCon Diode
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參數(shù)描述
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IDB30E60 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) FAST SWITCH EMCON DIODE 600V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
IDB30E60_07 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast Switching EmCon Diode
IDB30E60ATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Diode Switching 600V 52.3A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:DIODE SWTCH 600V 52.3A TO263-3
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