參數(shù)資料
型號(hào)： HY5S6B6D
廠商： Hynix Semiconductor Inc.
英文描述： 4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM
中文描述： 4Banks x1M x 16位同步DRAM
文件頁(yè)數(shù)： 22/27頁(yè)
文件大?。?/td> 368K
代理商： HY5S6B6D
Rev 0.3 / July 2004
22
HY5S6B6D(L/S)F(P)-xE
4Banks x 1M x 16bits Synchronous DRAM
DC CHARACTERISTICS III
-
Low Power (I
DD6
)
* HY5S6B6DLF Series
1)
DC CHARACTERISTICS III
-
Super Low Power (I
DD6
)
* HY5S6B6DSF Series
2)
Note 1) IDD6 vs Temp. Graph for HY5S6B6DLF Note 2) IDD6 vs Temp. Graph for HY5S6B6DSF
Temp.
(
o
C)
Memory Array
2 Banks
130
Unit
4 Banks
190
1 Bank
100
85
μ
A
μ
A
45
120
90
80
Temp.
(
o
C)
Memory Array
2 Banks
110
Unit
4 Banks
150
1 Bank
90
85
μ
A
μ
A
45
100
85
75
-20
0
20
40
60
80
60
80
100
120
140
160
180
200
Temp. [ ]
℃
℃
℃
℃
1 Bank
HY5S6B6DLF Serise
I
4 Bank
2 Bank
-20
0
20
40
60
80
60
80
100
120
140
160
180
200
Temp. [ ]
℃
℃
℃
℃
1 Bank
HY5S6B6DSF Serise
I
4 Bank
2 Bank
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY5S6B6DLF-BE 4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM
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HY5S6B6DLF-SE 4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM
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