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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY5S6B6D |
| 廠(chǎng)商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4Banks x1M x 16位同步DRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/27頁(yè) |
| 文件大小： | 368K |
| 代理商： | HY5S6B6D |
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Rev 0.3 / July 2004
11
HY5S6B6D(L/S)F(P)-xE
4Banks x 1M x 16bits Synchronous DRAM
DQM TRUTH TABLE
Note : 1. H: High Level, L: Low Level, X: Don
'
t Care
2. Write DQM Latency is 0 CLK and Read DQM Latency is 2 CLK
Function
CKE
n-1
CKE
n
LDQM
UDQM
Data Write/Output enable
H
X
L
L
Data Mask/Output disable
H
X
H
H
Lower byte write/Output enable,
Upper byte mask/Output disable
H
X
L
H
Lower byte Mask/Output disable,
Upper byte write/Output enable
H
X
H
L
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5S6B6DLF-BE | 4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S6B6DLFP-BE | 4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S6B6DLFP-SE | 4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S6B6DLF-SE | 4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S6B6DSF-BE | 4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5S6B6DLF-BE | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S6B6DLFP-BE | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S6B6DLFP-SE | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S6B6DLF-SE | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S6B6DSF-BE | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
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