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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY5S6B6D |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4Banks x1M x 16位同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 20/27頁 |
| 文件大小： | 368K |
| 代理商： | HY5S6B6D |
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Rev 0.3 / July 2004
20
HY5S6B6D(L/S)F(P)-xE
4Banks x 1M x 16bits Synchronous DRAM
CAPACITANCE
(T
A
= 25
o
C, f=1MHz
)
DC CHARACTERRISTICS I
(T
A
= 25 to 85
o
C
)
Note :
1. V
IN
= 0 to 1.8V. All other pins are not tested under V
IN
=0V.
2. D
OUT
is disabled. V
OUT
= 0 to 1.95V.
3. I
OUT
= - 0.1mA
4. I
OUT
= + 0.1mA
Parameter
Pin
Symbol
-H
-/P/S/B
Unit
Min
Max
Min
Max
Input capacitance
CLK
CI1
2
4.0
2
4.0
pF
A0~A11, BA0, BA1, CKE, CS,
RAS, CAS, WE, UDQM, LDQM
DQ0 ~ DQ15
CI2
2
4.0
2
4.0
pF
Data input/output capacitance
CI/O
3.5
6.0
3.5
6.0
pF
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Note
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Output High Voltage
Output Low Voltage
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
-1
-1.5
1
uA
uA
V
V
1
2
3
4
1.5
-
0.2
V
DDQ
-0.2
-
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5S6B6DLF-BE | 4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S6B6DLFP-BE | 4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S6B6DLFP-SE | 4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S6B6DLF-SE | 4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S6B6DSF-BE | 4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5S6B6DLF-BE | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S6B6DLFP-BE | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S6B6DLFP-SE | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S6B6DLF-SE | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S6B6DSF-BE | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
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