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參數(shù)資料
| 型號： | HY27US081G1MSES |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 17 MM, 0.65 MM PITCH, USOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 29/39頁 |
| 文件大?。?/td> | 312K |
| 代理商： | HY27US081G1MSES |
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Rev 0.2 / May. 2007
35
Preliminary
HY27US(08/16)1G1M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
Write Protect Operation
The Erase and Program Operations are automatically reset when WP goes Low (tWW = 100ns, min). The operations
are enabled and disabled as follows (Figure 27~30)
Figure 27: Enable Programming
Figure 28: Disable Programming
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27US081G1MTCS | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| HY27US081G1MTPMP | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| HY5116100BJ-70 | 16M X 1 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO24 |
| HY5116804CSLT-80 | 2M X 8 EDO DRAM, 80 ns, PDSO28 |
| HY514400ALT-60 | 1M X 4 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO20 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY27US08281A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128Mbit (16Mx8bit / 8Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27US08282A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128Mbit (16Mx8bit / 8Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27US08561A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US08561A-T (P) | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
| HY27US08561M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash |
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