參數(shù)資料
型號： HY27UF081G2M-TES
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類： DRAM
英文描述： 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
中文描述： 128M X 8 FLASH 3.3V PROM, 30 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, TSOP1-48
文件頁數(shù)： 24/48頁
文件大?。?/td> 476K
代理商： HY27UF081G2M-TES
Rev 0.7 / Apr. 2005
24
Preliminary
HY27UF(08/ 16)1G2M Series
HY27SF(08/ 16)1G2M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
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Figure 8: Address Latch Cycle
Figure 7: Command Latch Cycle
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY27UF081G2M-TIB 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF081G2M-TIP 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF081G2M-TIS 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF081G2M-TMB Inductor; Inductor Type:Power; Inductance:2uH; Inductance Tolerance: 25 %; Series:CTX; Package/Case:PCB Surface Mount; Core Material:Amorphous Metal; Current, lt rms Parallel:7.26A; Current, lt rms Series:3.63A RoHS Compliant: Yes
HY27UF081G2M-TMP 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
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參數(shù)描述
HY27UF081G2M-TIB 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF081G2M-TIP 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF081G2M-TIS 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF081G2M-TMB 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF081G2M-TMP 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
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