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參數(shù)資料
| 型號： | HY27UF081G2M-TES |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 128M X 8 FLASH 3.3V PROM, 30 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 2/48頁 |
| 文件大?。?/td> | 476K |
| 代理商： | HY27UF081G2M-TES |
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Rev 0.7 / Apr. 2005
2
Preliminary
HY27UF(08/ 16)1G2M Series
HY27SF(08/ 16)1G2M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
Revision History
- Continued -
Revision
No.
History
Draft Date
Remark
0.5
1) Correct AC characteristics(tREH)
before: 30ns-> after: 20ns
2) Add Errata
Jan. 25. 2005
Preliminary
0.6
1) Change AC characteristics
2) Add tADL parameter
- tADL=100ns
3) Correct table.9
1) Correct AC Timing Characteristics Table
- Errata value is eddited.
- tADL(max) is changed to tADL(min).
2) Change Errata
- tREA is deleted from the errata
Case
Mar. 09. 2005
Preliminary
0.7
3) Edit pin Description table
4) Delete Multiple Die & Stacked Devices Access
- Texts & tables are deleted.
5) Edit Data Protection texts
6) Add Read ID table
7) Add tOH parameter
- tOH=15ns(min.)
8) Add Marking Information
9) Correct application note.2
- tCS(2us) is changed to 100ns.
Apr. 06. 2005
Preliminary
Case
tRC
tRP
tREH
tREA
Specification
Read(all)
50
20
20
30
Relaxed
value
Except for
ID Read
50
20
20
30
ID Read
60
25
30
30
tDH
Before
10
After
15
tRC
tRP
tREH
Before
Except for
ID Read
50
20
20
ID Read
60
25
30
After
Read (all)
60
25
30
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27UF081G2M-TIB | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UF081G2M-TIP | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UF081G2M-TIS | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UF081G2M-TMB | Inductor; Inductor Type:Power; Inductance:2uH; Inductance Tolerance: 25 %; Series:CTX; Package/Case:PCB Surface Mount; Core Material:Amorphous Metal; Current, lt rms Parallel:7.26A; Current, lt rms Series:3.63A RoHS Compliant: Yes |
| HY27UF081G2M-TMP | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY27UF081G2M-TIB | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UF081G2M-TIP | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UF081G2M-TIS | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UF081G2M-TMB | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UF081G2M-TMP | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
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