參數(shù)資料
型號(hào)： HB52R649E1U-A6B
廠商： ELPIDA MEMORY INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 64M X 72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6.9 ns, DMA168
封裝： DIMM-168
文件頁(yè)數(shù)： 7/20頁(yè)
文件大?。?/td> 151K
代理商： HB52R649E1U-A6B
EOL
Product
HB52R649E1U-A6B/B6B
Preliminary Data Sheet E0022H10
15
Capacitance (Ta = 25°C, V
CC = 3.3 V ± 0.3 V)
Parameter
Symbol
Max
Unit
Notes
Input capacitance (Address)
C
I1
15
pF
1, 2, 4
Input capacitance (
RE, CE, W)C
I2
15
pF
1, 2, 4
Input capacitance (CKE)
C
I3
23
pF
1, 2, 4
Input capacitance (
S)C
I4
15
pF
1, 2, 4
Input capacitance (CK)
C
I5
40
pF
1, 2, 4
Input capacitance (DQMB)
C
I6
15
pF
1, 2, 4
Input/Output capacitance (DQ)
C
I/O1
15
pF
1, 2, 3, 4
Notes: 1. Capacitance measured with Boonton Meter or effective capacitance measuring method.
2. Measurement condition: f = 1 MHz, 1.4 V bias, 200 mV swing.
3. DQMB = V
IH to disable Data-out.
4. This parameter is sampled and not 100% tested.
AC Characteristics (Ta = 0 to 55°C, V
CC = 3.3 V ± 0.3 V, VSS = 0 V)
HB52R649E1U
-A6B/B6B
Parameter
Symbol
PC100
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
System clock cycle time
(
CE latency = 3)
t
CK
Tclk
10
—
ns
1
(
CE latency = 4)
t
CK
Tclk
10
—
ns
CK high pulse width
t
CKH
Tch
4
—
ns
1
CK low pulse width
t
CKL
Tcl
4
—
ns
1
Access time from CK
(
CE latency = 3)
t
AC
Tac
—
6.9
ns
1, 2
(
CE latency = 4)
t
AC
Tac
—
6.9
ns
Data-out hold time
t
OH
Toh
2.1
—
ns
1, 2
CK to Data-out low impedance
t
LZ
1.1
—
ns
1, 2, 3
CK to Data-out high impedance
t
HZ
—
6.9
ns
1, 4
Data-in setup time
t
DS
Tsi
2.9
—
ns
1
Data in hold time
t
DH
Thi
1.9
—
ns
1
Address setup time
t
AS
Tsi
2.6
—
ns
1
Address hold time
t
AH
Thi
1.6
—
ns
1, 5
CKE setup time
t
CES
Tsi
2.6
—
ns
1, 5
CKE setup time for power down exit
t
CESP
Tpde
2.6
—
ns
1
CKE hold time
t
CEH
Thi
1.6
—
ns
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HB56R864ES-7B 8M X 64 FAST PAGE DRAM MODULE, 70 ns, DMA168
HB601R SINGLE COLOR LED, BLUE, 1.7 mm
HBCD-050-06.00-SBL-STR INTERCONNECTION DEVICE
HBCD-050-06.00-SBL-TEU INTERCONNECTION DEVICE
HBCD-050-06.00-SBR-SBR INTERCONNECTION DEVICE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HB52R649E1U-B6B 制造商:ELPIDA 制造商全稱(chēng):Elpida Memory 功能描述:512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword × 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M × 4 Components) PC100 SDRAM
HB52RD168DB-A6F 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module
HB52RD168DB-A6FL 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module
HB52RD168DB-B6F 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module
HB52RD168DB-B6FL 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module
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