參數資料
型號: GS881E18T-V
廠商: GSI TECHNOLOGY
英文描述: 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
中文描述: 為512k × 18,256K × 32,256K × 36 9Mb以上同步突發(fā)靜態(tài)存儲器
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代理商: GS881E18T-V
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GS881E18/32/36B(T/D)-xxxV
Rev: 1.00 6/2006
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
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2006, GSI Technology
GS881E32BT-xxxV 100-Pin TQFP Pinout (Package T)
相關PDF資料
PDF描述
GS881E32BD-150IV 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS881E18BD-150IV 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS881E18BD-150V 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS881E18BD-200IV 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS881E18BD-200V 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
相關代理商/技術參數
參數描述
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GS881E32AD-133I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E32AD-133IT 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E32AD-133T 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E32AD-150 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs