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參數(shù)資料
| 型號： | GS8170S36 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 16Mb（512K x 36Bit）Synchronous SRAM(16M位（512K x 36位）同步靜態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 16Mb的（為512k × 36Bit）同步SRAM（1,600位（為512k × 36位）同步靜態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 34/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 934K |
| 代理商： | GS8170S36 |
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Rev: 1.01 11/2000
Specifications cited are design targets and are subject to change without notice. For latest documentation contact your GSI representative.
34/38
2000, Giga Semiconductor, Inc.
A
Advanced Information
GS8170S18/36/72B-333/300/275/250
JTAG Port AC Test Conditions
JTAG Port Timing Diagram
JTAG Port AC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
TCK Cycle Time
tTKC
20
—
ns
TCK Low to TDO Valid
tTKQ
—
10
ns
TCK High Pulse Width
tTKH
10
—
ns
TCK Low Pulse Width
tTKL
10
—
ns
TDI & TMS Set Up Time
tTS
5
—
ns
TDI & TMS Hold Time
tTH
5
—
ns
Notes:
1.
2.
Include scope and jig capacitance.
Test conditions as as shown unless otherwise noted.
Parameter
Conditions
V
DD
– 200 mV
200 mV
1 V/ns
V
DD
/2
V
DD
/2
Input high level
Input low level
Input slew rate
Input reference level
Output reference level
DQ
V
T
= V
DD
/2
50
JTAG Port AC Test Load
tTKQ
tTS
tTH
tTKH
tTKL
TCK
TMS
TDI
TDO
tTKC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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