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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS76024AB-10 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256K x 24 6Mb Asynchronous SRAM |
| 中文描述： | 256K X 24 STANDARD SRAM, 10 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 471K |
| 代理商： | GS76024AB-10 |
Capacitance
Parameter
Symbol
Test Condition
Max
Unit
Input Capacitance
C
IN
V
IN
= 0 V
10
pF
I/O Capacitance
C
OUT
V
OUT
= 0 V
7
pF
GS76024AB
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.02 12/2005
4/12
2003, GSI Technology
Notes:
1.
2.
Tested at T
A
= 25°C, f = 1 MHz
These parameters are sampled and are not 100% tested
DC I/O Pin Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Max
Input Leakage Current
I
IL
V
IN
= 0 to V
DD
–2 uA
2 uA
Output Leakage Current
I
OL
Output High Z, V
OUT
= 0
to V
DD
–1 uA
1 uA
Output High Voltage
V
OH
I
OH
= –4 mA
2.4
—
Output Low Voltage
V
OL
I
OL
= +4 mA
—
0.4 V
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