參數(shù)資料
型號(hào): GP1L54
廠商: Sharp Corporation
英文描述: High Sensitivity Photointerrupter
中文描述: 高靈敏度光電斷路器
文件頁數(shù): 3/5頁
文件大小: 73K
代理商: GP1L54
0
0.5
1
1.5
2
1
2
10
20
100
200
2.5
3
5
50
500
25C
0C
- 25C
50C
20
5
5
2
5
2
50
100
200
500
1000
2000
3.5
0
2
0
25
1
20
15
10
5
3
4
0
2
0
2
4
6
8
10
12
10
8
22
20
18
2.0mA
1.5mA
1.0mA
0.5mA
5
30
Duty ratio
1
3
5
7
9
30
28
26
35
40
45
50
4
6
14
16
24
Fig. 3 Peak Forward Current vs.
Duty Ratio
Fig. 4 Forward Current vs.
Forward Voltage
T
a
= 25C
P
F
T
a
= 75C
Forward Voltage V
F
(V)
F
F
C
C
Forward current I
F
(mA)
V
CE
= 2V
T
a
= 25C
T
a
= 25C
C
C
Collector-emitter voltade V
CE
(V)
I
F
= 2.5mA
P
C
(MAX.)
Fig. 5 Collector Current vs.
Forward Current
Fig. 6 Collector Current vs.
Collector-emitter Voltage
0
0
25
50
75
100
1
2
3
4
5
6
7
8
100
75
50
25
0
0
C
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
Fig. 7 Collector Current vs.
Ambient Temperature
Fig. 8 Collector-emitter Saturation Voltage vs.
Ambient Temperature
I
F
= 1mA
V
CE
= 2V
C
C
Ambient temperature T
a
(C)
I
F
= 2mA
I
C
= 0.5mA
V
C
Ambient temperature T
a
(C)
Pulse width<=100
μ
s
10
0
10
-2
10
-1
- 25
- 25
GP1L50/GP1L51/GP1L52V/GP1L54
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GP1L53V Compact, High Sensing Accuracy Type Photointerrupter
GP1L55 High Sensitivity Photointerrupter
GP1L57 Wide Gap Type Photointerrupter
GP1S01 HIGH SPEED PHOTOINTERRUPTER
GP1S01F HIGH SPEED PHOTOINTERRUPTER
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參數(shù)描述
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GP1L57 功能描述:PHOTOINTERRUPTER SLOT 10MM PCB RoHS:否 類別:傳感器,轉(zhuǎn)換器 >> 光學(xué) - 光斷續(xù)器 - 槽型 - 晶體管輸出 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Internal Chip Change 04/May/2007 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 檢測(cè)距離:0.063"(1.6mm) 檢測(cè)方法:可傳導(dǎo)的 輸出配置:光電晶體管 電流 - DC 正向(If):50mA 電流 - 集電極 (Ic)(最大):20mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):35V 響應(yīng)時(shí)間:35µs,35µs 安裝類型:通孔 封裝/外殼:PCB 安裝 包裝:管件 類型:無放大 工作溫度:-25°C ~ 85°C 其它名稱:425-1978-5
GP1L57J0000F 制造商:Sharp Microelectronics Corporation 功能描述:
GP1M003A050FG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2.8 歐姆 @ 1.25A, 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):9nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):395pF @ 25V 功率 - 最大值:17.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
GP1M003A080CH 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3A DPAK 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.2 歐姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):19nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):696pF @ 25V 功率 - 最大值:94W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252,(D-Pak) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1