參數(shù)資料
型號： GP1L54
廠商： Sharp Corporation
英文描述： High Sensitivity Photointerrupter
中文描述： 高靈敏度光電斷路器
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 73K
代理商： GP1L54
*1 Pulse width<= 100
μ
s, Duty ratio= 0.01
*2 For 5 seconds
(Ta= 25C)
I
Electro-optical Characteristics
Parameter
Symbol
V
F
V
FM
I
R
I
CEO
Ic
Conditions
MIN.
-
-
-
-
0.5
TYP.
1.25
3
-
-
MAX.
1.4
4
10
10
-
6
20
Unit
V
V
μ
A
A
mA
V
μ
s
Input
Forward voltage
Peak forward voltage
Reverse current
Collector dark current
Collector Current
I
F
= 20mA
I
FM
= 0.5A
V
R
= 3V
V
CE
= 10V
Output
Transfer
charac-
teristics
-
-
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
t
r
t
f
-
-
-
Response time
Rise time
Fall time
R
L
= 100
μ
s
V
CE
= 2V, I
C
= 2mA
I
F
= 2mA, I
C
= 0.5mA
I
F
= 1mA, V
CE
= 2V
80
70
300
400
1.0
Parameter
Forward current
Symbol
I
F
I
FM
V
R
P
V
CEO
V
ECO
I
C
P
C
T
opr
T
stg
T
sol
Rating
50
1
6
75
35
6
40
75
- 25 to + 85
- 40 to + 100
260
Unit
mA
A
V
mW
V
V
mA
mW
C
C
C
Input
*1
Peak forward current
Reverse voltage
Power dissipation
Collector-emitter voltage
Emitter-collector voltage
Collector current
Collector power dissipation
Operating temperature
Output
Storage temperature
*2
Soldering temperature
(Ta =25C)
1
2
1 Anode
2 Cathode
3 Collector
4 Emitter
Internal connection diagram (Common to 4 models )
3
4
GP1L50/GP1L51/GP1L52V/GP1L54
-25
0
25
50
75
100
0
10
20
30
40
50
60
85
-25
0
25
50
75
100
0
20
40
60
85
80
75
100
120
Fig. 1 Forward Current vs. Ambient
Temperature
Fig. 2 Collector Power Dissipation vs.
Ambient Temperature
F
F
Ambient temperature T
a
(C)
C
C
Ambient temperature T
a
(C)
I
Absolute Maximum Ratings
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PDF描述
GP1L53V Compact, High Sensing Accuracy Type Photointerrupter
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GP1L57J0000F 制造商:Sharp Microelectronics Corporation 功能描述:
GP1M003A050FG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.8 歐姆 @ 1.25A， 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:9nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:395pF @ 25V 功率 - 最大值:17.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
GP1M003A080CH 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3A DPAK 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.2 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:696pF @ 25V 功率 - 最大值:94W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252，（D-Pak） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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