參數(shù)資料
型號： GP1L57
廠商： Sharp Corporation
英文描述： Wide Gap Type Photointerrupter
中文描述： 寬間隙型光電斷路器
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 49K
代理商： GP1L57
(Ta=25C)
I
F
I
FM
V
R
P
V
CEO
V
ECO
I
C
P
C
T
opr
T
stg
T
sol
50
1
6
75
35
6
40
75
mA
A
V
mW
V
V
mA
mW
C
C
C
260
1
2
3
4
Features
1.
Wide gap between emitter and detector (Gap width : 10 mm)
2. Deep groove type (Depth : 12.2 mm)
3. With positioning pin
Applications
1. Analytical equipment, measuring instruments
2. Amusement equipment
3. Optoelectronic switches, optoelectronic counters
Outline Dimensions
(Unit : mm)
Internal connection diagram
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Input
Output
*1
*2
Forward current
Peak forward current
Reverse voltage
Power dissipation
Collector-emitter voltage
Emitter-collector voltage
Collector current
Collector power dissipation
Operating temperature
Storage temperature
Soldering temperature
- 25 to + 85
- 40 to + 100
*1 Pulse width <=100
μ
s, Duty ratio=0.01
*2 For 5 seconds
GP1L57
GP1L57
Wide Gap Type Photointerrupter
4. PWB direct mounting type package
1
2
Anode
Cathode
4
3
Collector
Emitter
*
Unspecified to
lerances :
±
0.2 mm
*
( ) : Reference dimensions
Sec. A-A'
1.8
+
0.1
-
0.1
1
5
18.6
10
8.95
2
φ
07
1
φ
15
4
2
3
A
+
-
0.45
0.4
A'
C03
C02
C1
(2.54)
(15.2)
4
1
0
1
3
(
(
G
S
I
I
I
I
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GP1L57J0000F 制造商:Sharp Microelectronics Corporation 功能描述:
GP1M003A050FG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.8 歐姆 @ 1.25A， 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:395pF @ 25V 功率 - 最大值:17.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 標準包裝:1
GP1M003A080CH 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3A DPAK 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.2 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:696pF @ 25V 功率 - 最大值:94W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252，（D-Pak） 標準包裝:1
GP1M003A080FH 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.2 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:696pF @ 25V 功率 - 最大值:32W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 標準包裝:1
GP1M003A090C 功能描述:MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.1 歐姆 @ 1.25A， 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:748pF @ 25V 功率 - 最大值:94W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1
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