參數(shù)資料
型號(hào)： GP1L55
廠(chǎng)商： Sharp Corporation
英文描述： High Sensitivity Photointerrupter
中文描述： 高靈敏度光電斷路器
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 51K
代理商： GP1L55
GP1L55
GP1L55
I
Outline Dimensions
( Unit : mm)
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta= 25C)
Parameter
Forward current
Symbol
I
F
I
FM
V
R
P
V
CEO
V
ECO
I
C
P
C
T
opr
T
stg
T
sol
Rating
50
1
6
75
35
6
40
75
- 25 to + 85
- 40 to + 100
260
Unit
mA
A
V
mW
V
V
mA
mW
C
C
C
Input
*1
Peak forward current
Reverse voltage
Power dissipation
Collector-emitter voltage
Output
Emitter-collector voltage
Collector current
Collector power dissipation
Operating temperature
Storage temperature
*2
Soldering temperature
I
Features
1. Compact package
(Case height: 8mm)
2. High sensing accuracy
(Slit widthDetector: 0.15mm, Emitter: 0.5mm )
3. Easy positioning to PWB with positioning
pin
I
Applications
1. Floppy disk drives
2. VCRs, Cassette decks
3. Optoelectronic switches, electronic
counters, edge sensors.
*1 Pulse width<=100
μ
s, Duty ratio= 0.01
*2 For 5 seconds
(2.54)
8
(
11.0
2.0
+
-
0.2
Internal connection
diagram
(Slit width of detector side)
0.15
BB
section
D
B
A
A
’
B
’
2
5
(7.4)
AA
section
(Slit width of emitter side)
0.5
C1.0
1
2
3
4
1
2
3
4
1
M
4
-
0.4
+
-
0.3
2
10.2
±
0.15
2
-
φ
0.7
±
0.05
4
-
0.45
+
-
0.3
1 Anode
2 Cathode
3 Collector
4 Emitter
*Unspecified tolerances shall be as follows
;
Dimensions(d)
Tolerance
d
<=
6.0
6.0
<
d
<=
18.0
*( )
:
Reference dimensions
±
0.1
±
0.2
High Sensitivity
Photointerrupter
G
data books, etc. Contact SHARP in order to obtain the latest version of the device specification sheets before using any SHARP's device.
”
“
In the absence of confirmation by device specification sheets, SHARP takes no responsibility for any defects that occur in equipment using any of SHARP's devices, shown in catalogs,
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GP1L57 Wide Gap Type Photointerrupter
GP1S01 HIGH SPEED PHOTOINTERRUPTER
GP1S01F HIGH SPEED PHOTOINTERRUPTER
GP1S05 WIDE GAP HIGH SENSING ACCURACY TYPE PHOTOINTERRUPTER
GP1S06 High Sensing Accuracy Type Photointerrupter
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GP1L57 功能描述:PHOTOINTERRUPTER SLOT 10MM PCB RoHS:否 類(lèi)別:傳感器，轉(zhuǎn)換器 >> 光學(xué) - 光斷續(xù)器 - 槽型 - 晶體管輸出 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Internal Chip Change 04/May/2007 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 檢測(cè)距離:0.063"（1.6mm） 檢測(cè)方法:可傳導(dǎo)的 輸出配置:光電晶體管 電流 - DC 正向(If):50mA 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:20mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:35V 響應(yīng)時(shí)間:35µs，35µs 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:PCB 安裝 包裝:管件 類(lèi)型:無(wú)放大 工作溫度:-25°C ~ 85°C 其它名稱(chēng):425-1978-5
GP1L57J0000F 制造商:Sharp Microelectronics Corporation 功能描述:
GP1M003A050FG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.8 歐姆 @ 1.25A， 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:9nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:395pF @ 25V 功率 - 最大值:17.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
GP1M003A080CH 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3A DPAK 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.2 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:696pF @ 25V 功率 - 最大值:94W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252，（D-Pak） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
GP1M003A080FH 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.2 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:696pF @ 25V 功率 - 最大值:32W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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