參數(shù)資料
型號： GP1L55
廠商： Sharp Corporation
英文描述： High Sensitivity Photointerrupter
中文描述： 高靈敏度光電斷路器
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 51K
代理商： GP1L55
GP1L55
(Ta= 25C)
I
Electro-optical Characteristics
Parameter
Symbol
V
F
V
FM
I
R
I
CEO
Ic
Conditions
MIN.
-
-
-
-
0.6
MAX.
1.4
4
10
10
- 6
-
Unit
V
V
μ
A
A
mA
Input
Forward voltage
Peak forward voltage
Reverse current
Collector dark current
Collector Current
I
F
= 20mA
I
FM
= 0.5A
V
R
= 3V
V
CE
= 10V
I
F
= 2mA, V
CE
= 2V
Output
Transfer
charac-
teristics
Collector-emitter saturation
voltage
V
CE(sat)
I
F
= 4mA, I
C
= 0.6mA
-
1
V
Response time
Rise time
Fall time
t
r
t
f
V
CE
= 2V, I
C
= 10mA
R
L
= 100
-
-
400
350
μ
s
μ
s
-25
0
Ambient temperature T
a
25
50
75 85
100
0
10
20
30
40
50
60
-25
0
25
50
75 85
100
0
20
40
60
80
75
100
120
20
5
10
-2
2
5
2
5
Duty ratio
Pulse width<=100
μ
s
T
a
= 25C
0
0.5
1
Forward voltage V
F
1.5
2
2.5
(V)
3
3.5
25C
0C
50C
Fig. 1 Forward Current vs.
Ambient Temperature
Fig. 2 Collector Power Dissipation vs.
Ambient Temperature
Ambient temperature T
a
T
a
= 75C
Fig. 3 Peak Forward Current vs.
Duty Ratio
Fig. 4 Forward Current vs.
Forward Voltage
1000
(C)
C
C
P
F
2000
1000
500
200
100
50
F
F
200
100
50
20
10
5
2
1
F
F
(C)
TYP.
1.2
3
-
-
-
-
80
70
500
- 25C
10
-1
1
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PDF描述
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GP1M003A080FH 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.2 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:696pF @ 25V 功率 - 最大值:32W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:1
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