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參數(shù)資料
| 型號： | FLL57MK |
| 廠商： | SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 英文描述： | L-Band Medium & High Power GaAs FET |
| 中文描述： | L波段中等 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 96K |
| 代理商： | FLL57MK |
2
FLL57MK
L-Band Medium & High Power GaAs FET
POWER DERATING CURVE
DRAIN CURRENT vs. DRAIN-SOURCE VOLTAGE
10
5
20
25
15
0
50
100
150
200
2
0
4
6
8
10
Case Temperature (
°
C)
Drain-Source Voltage (V)
T
1000
500
2000
1500
D
VGS =0V
-0.5V
-1.5V
-2.0V
-1.0V
OUTPUT POWER vs. INPUT POWER
VDS=10V
IDS
≈
0.55 IDSS
f = 2.3 GHz
18
20
22
24
26
28
Input Power (dBm)
36
34
32
30
28
26
30
40
50
60
20
10
O
η
add
Pout
η
a
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FLL600IQ-2C | L-Band High Power GaAs FET |
| FLL600IQ-2 | Push-Pull Configuration, Broad Frequency Range: 800 to 2000 MHz, Suitable for class AB operation |
| FLL600IQ-3 | L-Band Medium & High Power GaAs FET |
| FLL810IQ-3C | L-Band High Power GaAs FET |
| FLL810IQ-4C | L-Band High Power GaAs FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FLL600IQ-2 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:Push-Pull Configuration, Broad Frequency Range: 800 to 2000 MHz, Suitable for class AB operation |
| FLL600IQ-2C | 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:L-Band High Power GaAs FET |
| FLL600IQ-3 | 制造商:SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc 功能描述:L-Band Power GaAs FET (48.0dBm@2.76GHz), Bulk |
| FLL800IQ-2C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:L-Band High Power GaAs FET |
| FLL810IQ-3C | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
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