參數(shù)資料
型號: FJP5355
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: High Voltage Switch Mode Application
中文描述: 5 A, 440 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝: TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/5頁
文件大?。?/td> 70K
代理商: FJP5355
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. A, September 2003
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 7. Reverse Biased Safe Operating Area
Figure 8. Forward Biased Safe Operating Area
10
100
1000
1
2
3
4
5
6
I
B1
=1A, R
B2
=0
L=1mH, V
CC
=50V
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
500
μ
s
1ms
10ms
DC
I
CP
(max)
I
C
(max)
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FJP5554 功能描述:兩極晶體管 - BJT HI-VLTG FAST SWITCH TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJP5554TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 40V/5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJP5555 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Transistor
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