參數(shù)資料
型號： FJP5355
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage Switch Mode Application
中文描述： 5 A, 440 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 70K
代理商： FJP5355
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, September 2003
F
NPN Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter- Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
Collector Current (Pulse)
I
B
Base Current
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector- Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector- Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
*DC Current Gain
* Pulse test: PW
≤
300
μ
s, Duty cycle
≤
2%
Parameter
Value
900
440
14.5
5
7.5
2.5
50
150
- 65 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
A
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= 500
μ
A, I
E
= 0
I
C
= 5mA, I
B
= 0
I
E
= 500
μ
A, I
C
= 0
V
EB
= 12V, I
C
= 0
V
CE
= 2V, I
C
= 10mA
V
CE
= 2V, I
C
= 0.8A
V
CE
= 2V, I
C
= 2.5A
I
C
= 0.8A, I
B
= 0.2A
I
C
= 2.5A, I
B
= 0.8A
I
C
= 0.8A, I
B
= 0.2A
I
C
= 2.5A, I
B
= 0.8A
V
CE
= 10V, I
C
= 0.2A
V
CC
= 125V, I
C
= 0.5A
I
B1
= 45mA, -I
B2
= 0.5A
PW=300
μ
s
Min.
900
440
14.5
Typ.
Max.
1
Units
V
V
V
μ
A
15
15
7
V
CE
(sat)
*Collector-Emitter Saturation Voltage
0.2
0.4
1.0
1.2
V
V
V
V
V
BE
(sat)
*Base-Emitter Saturation Voltage
f
T
t
ON
t
STG
t
F
Current Gain Bandwidth Product
Turn On Time
Storage Time
Fall Time
4
MHz
μ
s
μ
s
μ
s
1.1
1.2
0.4
FJP5355
High Voltage Switch Mode Application
High Speed Switching
Very Low Switching Losses
Very Low Operating Temperature
Wide RBSOA
1.Base 2.Collector 3.Emitter
1
TO-220
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