參數(shù)資料
型號(hào)： FJP9100
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage Power Darlington Transistor
中文描述： 4 A, 275 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大小： 70K
代理商： FJP9100
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, May 2003
F
FJP9100
TO-220
1.Base 2.Collector 3.Emitter
1
High Voltage Power Darlington Transistor
Built-in Resistor at Base-Emitter : R
1
(Typ.)=2000
Built-in Resistor at Base : R
B
(Typ.)=700
±
100
NPN Silicon Darlington Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
*Collector Current (Pulse)
I
B
Base Current (DC)
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
* Pulse Test: PW=300
μ
s, duty Cycle=2% Pulsed
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CER
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
CEO
(sus)
Collector-Emitter Sustaining Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
Value
600
275
10
4
6
0.5
40
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
A
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= 500
μ
A, I
E
= 0
I
C
= 1mA, R
BE
= 330
I
C
= 1.5A, I
B
= 50mA, L=25mH
I
E
= 500
μ
A, I
C
= 0
V
CB
= 600V, I
E
= 0
V
EB
= 10V, I
C
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 0.5A
V
CE
= 5V, I
C
= 3A
I
C
= 2A, I
B
= 5mA
I
C
= 2A, I
B
= 5mA
V
CB
= 10V, I
E
= 0, f=1MHz
Min.
600
600
275
10
Typ.
Max.
Units
V
V
V
V
mA
mA
0.1
0.1
5000
1000
1000
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
C
ob
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Output Capacitance
1.5
6.0
V
V
pF
110
Equivalent Circuit
B
E
C
R
1
R
B
R1
RB
2000
700
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FJPF13007 High Voltage Switch Mode Application
FJPF13009 High Voltage Switch Mode Application
FJPF3305 High Voltage Switch Mode Application
FJPF3835 Power Amplifier
FJPF5021 High Voltage and High Reliability
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FJP9100TU 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Si Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
FJPF13007 功能描述:兩極晶體管 - BJT 700V/400V/8A/NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJPF13007H1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 700V/400V/8A/NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJPF13007H1TTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT 700V 400V 8A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJPF13007H1TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Sil Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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