參數(shù)資料
型號(hào)： FJPF13007
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage Switch Mode Application
中文描述： 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大小： 55K
代理商： FJPF13007
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B, July 2004
F
NPN Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector- Base Voltage
V
CEO
Collector- Emitter Voltage
V
EBO
Emitter- Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
Collector Current (Pulse)
I
B
Base Current
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CEO
Collector-Base Breakdown Voltage
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
* Pulse Test: PW
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
h
FE
Classification
Parameter
Value
700
400
9
8
16
4
40
150
- 65 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
A
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= 10mA, I
B
= 0
V
EB
= 9V, I
C
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 2A
V
CE
= 5V, I
C
= 5A
I
C
= 2A, I
B
= 0.4A
I
C
= 5A, I
B
= 1A
I
C
= 8A, I
B
= 2A
I
C
= 2A, I
B
= 0.4A
I
C
= 5A, I
B
= 1A
V
CB
= 10V , f = 0.1MHz
V
CE
= 10V, I
C
= 0.5A
V
CC
=125V, I
C
= 5A
I
B1
= - I
B2
= 1A
R
L
= 50
Min.
400
Typ.
Max.
Units
V
mA
1
60
30
1
2
3
1.2
1.6
8
5
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
V
V
V
V
pF
MHz
μ
s
μ
s
μ
s
V
BE
(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
Output Capacitance
Current Gain Bandwidth Product
Turn On Time
Storage Time
Fall Time
C
ob
f
T
t
ON
t
STG
t
F
110
4
1.6
3
0.7
Classification
h
FE1
R(H1)
15 ~ 28
O(H2)
26 ~ 39
FJPF13007
High Voltage Switch Mode Application
High Speed Switching
Suitable for Switching Regulator and Motor Control
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter
TO-220F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FJPF13009 High Voltage Switch Mode Application
FJPF3305 High Voltage Switch Mode Application
FJPF3835 Power Amplifier
FJPF5021 High Voltage and High Reliability
FJPF5027 High Voltage and High Reliability
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FJPF13007H1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 700V/400V/8A/NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJPF13007H1TTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT 700V 400V 8A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJPF13007H1TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Sil Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJPF13007H2 功能描述:兩極晶體管 - BJT 700V/400V/8A/NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJPF13007H2TTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Silicon Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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