參數(shù)資料
型號: FJP5321
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: High Voltage and High Reliability
中文描述: 5 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝: TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù): 4/6頁
文件大?。?/td> 66K
代理商: FJP5321
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. A, December 2003
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 7. Resistive Load Switching Time
Figure 8. Power Derating
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
I
B1
=0.2A, I
B2
=-0.2A
V
CC
=125V
t
F
,
S
μ
s
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0
25
50
75
100
125
150
175
0
20
40
60
80
100
120
P
C
[
T
C
[
o
C], CASE TEMPERATURE
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FJP5355TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJP5554 功能描述:兩極晶體管 - BJT HI-VLTG FAST SWITCH TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJP5554TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 40V/5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2