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參數(shù)資料
| 型號： | BUK9907-40ATC |
| 英文描述： | TrenchPLUS logic level FET |
| 中文描述： | TrenchPLUS場效應晶體管邏輯電平 |
| 文件頁數(shù)： | 8/15頁 |
| 文件大小： | 355K |
| 代理商： | BUK9907-40ATC |
Philips Semiconductors
BUK9907-40ATC
TrenchPLUS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 28 January 2002
8 of 15
9397 750 09139
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C; t
p
= 300
μ
s
Fig 5.
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C; I
D
= 50 A
Fig 6.
Drain-source on-state resistance as a function
of gate-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C; t
p
= 300
μ
s
Fig 7.
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values.
Fig 8.
Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature.
03ne77
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0
2
4
6
8
10
V
DS
(V)
I
D
(A)
2.2
2.4
3
3.4
3.8
4.2
4.6
V
GS
= 5 V
6
10
2.8
3.2
3.6
4
4.4
03ne79
0
5
10
15
20
25
2
4
6
8
10
V
GS
(V)
R
DSon
(m
)
03ne78
6
8
10
12
14
16
0
50
100
150
200
250
300
I
D
(A)
R
DSon
(m
)
V
GS
= 3 V
3.2
3.4
3.6
3.8
4
5
10
03ne89
0
0.5
1
1.5
2
-60
0
60
120
180
Tj (oC)
a
a
R
DSon 25 C
°
)
----------------------------
=
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| BUK9907-55ATE | 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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| BUK993-60A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 18A I(D) | SOT-263 |
| BUK995-60A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 34A I(D) | SOT-263 |
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