- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369569 > BUK9775-55A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220F PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BUK9775-55A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220F |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 55V的五（巴西）直| 11A條（丁）|至220F |
| 文件頁數(shù)： | 2/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 317K |
| 代理商： | BUK9775-55A |
Philips Semiconductors
BUK9735-55A
TrenchMOS logic level FET
Product specification
Rev. 01 — 15 February 2001
2 of 13
9397 750 07999
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
5.
Quick reference data
6.
Limiting values
[1]
I
DM
is limited by chip, not package.
Table 2:
Symbol Parameter
V
DS
drain-source voltage (DC)
I
D
drain current (DC)
P
tot
total power dissipation
T
j
junction temperature
R
DSon
drain-source on-state resistance
Quick reference data
Conditions
Typ
29
Max
55
20
25
150
35
37
Unit
V
A
W
°
C
m
m
T
mb
= 25
°
C; V
GS
= 5 V
T
mb
= 25
°
C
T
j
= 25
°
C; V
GS
= 5 V; I
D
= 20 A
T
j
= 25
°
C; V
GS
= 4.5 V; I
D
= 20 A
Table 3:
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol Parameter
V
DS
drain-source voltage (DC)
V
DGR
drain-gate voltage (DC)
V
GS
gate-source voltage (DC)
V
GSM
non-repetitive gate-source voltage
I
D
drain current (DC)
Limiting values
Conditions
Min
Max
55
55
±
10
±
15
20
Unit
V
V
V
V
A
R
GS
= 20 k
t
p
≤
50
μ
s
T
mb
= 25
°
C; V
GS
= 5 V;
Figure 2
and
3
T
mb
= 100
°
C; V
GS
= 5 V;
Figure 2
T
mb
= 25
°
C; pulsed; t
p
≤
10
μ
s;
Figure 3
T
mb
= 25
°
C;
Figure 1
14
79
A
A
I
DM
peak drain current
[1]
P
tot
T
stg
T
j
Source-drain diode
I
DR
reverse drain current (DC)
I
DRM
pulsed reverse drain current
Avalanche ruggedness
W
DSS
non-repetitive avalanche energy
total power dissipation
storage temperature
operating junction temperature
55
55
25
+150
+150
W
°
C
°
C
T
mb
= 25
°
C
T
mb
= 25
°
C; pulsed; t
p
≤
10
μ
s
20
79
A
A
unclamped inductive load; I
D
= 20 A;
V
DS
≤
55 V; V
GS
= 5 V; R
GS
= 50
;
starting T
j
= 25
°
C
123
mJ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK9775-56 | TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET) |
| BUK9840-56 | TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET) |
| BUK9907-40ATC | TrenchPLUS logic level FET |
| BUK993-60A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 18A I(D) | SOT-263 |
| BUK995-60A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 34A I(D) | SOT-263 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUK98150-55 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET |
| BUK98150-55 /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK98150-55,135 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK98150-55/CUF | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.5A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:330pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:8.3W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 5A，5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| BUK98150-55A | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 55V 5.5A SOT223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH 55V 5.5A SOT223 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。