參數(shù)資料
型號(hào)： BUK9775-55A
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220F
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 55V的五（巴西）直| 11A條（?。﹟至220F
文件頁(yè)數(shù)： 1/13頁(yè)
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代理商： BUK9775-55A
BUK9735-55A
TrenchMOS logic level FET
Rev. 01 — 15 February 2001
Product specification
c
c
M3D308
1.
Description
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using
TrenchMOS
1
technology, featuring very low on-state resistance.
Product availability:
BUK9735-55A in SOT186A (TO-220F).
2.
Features
I
TrenchMOS technology
I
Q101 compliant
I
150
°
C rated
I
Logic level compatible.
3.
Applications
I
Automotive and general purpose power switching:
N
12 V and 24 V loads
N
Motors, lamps and solenoids.
4.
Pinning information
1.
TrenchMOS is a trademark of Royal Philips Electronics.
Table 1:
Pin
Pinning - SOT186A, simplified outline and symbol
Description
Simplified outline
Symbol
1
gate (g)
SOT186A (TO-220F)
2
drain (d)
3
source (s)
mb
mounting base;
isolated
MBK110
1
mb
2 3
s
d
g
MBB076
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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BUK9840-56 TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET)
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK98150-55 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET
BUK98150-55 /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK98150-55,135 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK98150-55/CUF 功能描述:MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5.5A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:330pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:8.3W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 5A，5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
BUK98150-55A 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 55V 5.5A SOT223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH 55V 5.5A SOT223
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