參數(shù)資料
型號(hào)： BUK127-50GT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 外設(shè)及接口
英文描述： PowerMOS transistor Logic level TOPFET
中文描述： BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PDSO4
封裝： PLASTIC, SC-73, SOT-223, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/7頁(yè)
文件大?。?/td> 53K
代理商： BUK127-50GT
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
Logic level TOPFET
BUK127-50GT
MOUNTING INSTRUCTIONS
Dimensions in mm.
Fig.3. Soldering pattern for surface mounting.
PRINTED CIRCUIT BOARD
Dimensions in mm.
Fig.4. PCB for thermal resistance and power rating.
PCB: FR4 epoxy glass (1.6 mm thick),
copper laminate (35
μ
m thick).
36
60
9
10
4.6
18
4.5
7
15
50
3.8
min
6.3
2.3
4.6
1.5
min
1.5
min
1.5
min
(3x)
December 2001
6
Rev 2.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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BUK221-50DY Dual channel high-side TOPFET
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參數(shù)描述
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BUK127-50GT,115 功能描述:MOSFET TAPE-7 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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BUK128-50DL /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 TOPFET2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK128-50DL,118 功能描述:MOSFET TAPE13 TOPFET2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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