參數(shù)資料
型號(hào)： BUK127-50GT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 外設(shè)及接口
英文描述： PowerMOS transistor Logic level TOPFET
中文描述： BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PDSO4
封裝： PLASTIC, SC-73, SOT-223, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
文件大?。?/td> 53K
代理商： BUK127-50GT
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
Logic level TOPFET
BUK127-50GT
MECHANICAL DATA
Fig.2. SOT223 surface mounting package
1
.
UNIT
A
1
b
p
c
D
E
e
1
H
E
L
p
Q
y
w
v
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
0.10
0.01
1.8
1.5
0.80
0.60
b
1
3.1
2.9
0.32
0.22
6.7
6.3
3.7
3.3
2.3
e
4.6
7.3
6.7
1.1
0.7
0.95
0.85
0.1
0.1
0.2
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
SOT223
SC-73
97-02-28
99-09-13
w
M
b
p
D
b
1
e
1
e
A
A
1
L
p
Q
detail X
H
E
E
v
M
A
A
B
B
c
y
0
2
4 mm
scale
A
X
1
3
2
4
Plastic surface mounted package; collector pad for good heat transfer; 4 leads
SOT223
1
For further information, refer to surface mounting instructions for SOT223 envelope. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8". Net Mass: 0.11 g
December 2001
5
Rev 2.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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BUK212-50Y Single channel high-side TOPFET⑩
BUK218-50DY TOPFET dual high side switch
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BUK221-50DY Dual channel high-side TOPFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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BUK127-50GT,115 功能描述:MOSFET TAPE-7 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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BUK128-50DL,118 功能描述:MOSFET TAPE13 TOPFET2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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