參數(shù)資料
型號(hào)： BLV193
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power transistor
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： CERAMIC, SOT-171A, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/14頁(yè)
文件大?。?/td> 108K
代理商： BLV193
March 1993
4
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLV193
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Measured under pulse conditions: t
p
≤
200
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX. UNIT
V
(BR)CBO
collector-base breakdown voltage
open emitter;
I
c
= 20 mA
open base;
I
c
= 40 mA
open collector;
I
E
= 0.5 mA
V
CE
= 16 V;
V
BE
= 0
V
CE
= 10 V;
I
c
= 1.2 A;
note 1
V
CB
= 12.5 V;
I
E
= I
e
= 0;
f = 1 MHz
V
CE
= 12.5 V;
I
c
= 0;
f = 1 MHz
36
V
V
(BR)CEO
collector-emitter breakdown voltage
16
V
V
(BR)EBO
emitter-base breakdown voltage
3
V
I
CES
collector-emitter leakage current
1
mA
h
FE
DC current gain
25
60
C
c
collector capacitance
24.5
pF
C
re
feedback capacitance
13
pF
C
c-mb
collector-mounting base capacitance
2
pF
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